Полумостовая транзисторная микросхема с КПД 87 %

Корпорация Efficient Power Conversion (EPC) выпустила полумостовую монолитную микросхему на базе eGaN-тразисторов с номинальным напряжением 60 В. Новый компонент EPC2101 предназначен для преобразования постоянного тока высокой частоты. Решение используется в понижающих преобразователях и достигает КПД 87 % при токе 14 А, 82 % – при токе 30 А и частоте переключения 500 кГц (преобразование 28 В в 1 В).

Интеграция двух eGaN-транзисторов в одном устройстве привела к исключению межкомпонентной ёмкости и экономии на монтажной площади печатной платы до 50 %. Полевой транзистор верхнего плеча имеет типовое сопротивление Rds(on), равное 8,4 мОм, нижнего плеча – 2 мОм. Транзистор верхнего плеча примерно на четверть меньше второго транзистора для оптимизации преобразования постоянного тока в понижающих схемах с высоким соотношением Vin/Vout.

Микросхема EPC2101 выпускается в чиповом корпусе с размерами 6,05 х 2,3 мм. Для заказа доступна макетная плата EPC9037 (2 х 1,5 дюйма) с микросхемой EPC2101 и драйвером затвора LM5113 (Texas Instruments), питающими и развязывающими конденсаторами.

Полумостовая транзисторная микросхема EPC2101 имеет стоимость $6,92 при заказе от 1 тыс. шт. Макетная плата EPC9037 доступна по цене $137,75. Заказ можно осуществить через дистрибьютора Digi-Key.


Еще интересно почитать:




Добавить комментарий